10 Gbit/s Φ40 μm Top-illuminierter APD-Chip

10 Gbit/s Φ40 μm Top-illuminierter APD-Chip

Dieser 10-Gbit/s-Avalanche-Photodiodenchip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal-Ground (GSG)-Elektrodenstruktur mit einer von oben beleuchteten aktiven Fläche von Φ40μm. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, niedrige Kapazität, hohe Bandbreite, niedrigen Temperaturkoeffizienten und hervorragende Zuverlässigkeit aus und wird in optischen 10G-SONET/SDH- und 10G-PON-Empfängern eingesetzt.

Merkmale

  1. Φ40μm aktive Fläche.
  2. Hohe Vermehrung.
  3. Hohe Datenrate.
  4. Niedriger Temperaturkoeffizient.
  5. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
  6. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.

Anwendungen

  1. 10G SONET/SDH
  2. 10G PON