Dieser 10-Gbit/s-Avalanche-Photodiodenchip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal-Ground (GSG)-Elektrodenstruktur mit einer von oben beleuchteten aktiven Fläche von Φ40μm. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, niedrige Kapazität, hohe Bandbreite, niedrigen Temperaturkoeffizienten und hervorragende Zuverlässigkeit aus und wird in optischen 10G-SONET/SDH- und 10G-PON-Empfängern eingesetzt.
Merkmale
Anwendungen
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