10 Gbit/s Φ50μm PIN PD-Chip

Dieser 10-Gbit/s-Fotodiodenchip mit hoher Datenrate hat eine InGaAs/InP-PIN-Struktur und ist von oben beleuchtet. Er zeichnet sich durch hohe Zuverlässigkeit, niedrige Kapazität, niedrigen Dunkelstrom und eine aktive Flächengröße von Φ50μm aus. Anoden- und Kathoden-Bondpads oben für TO-CAN-Gehäusedrahtbonding. Anwendung in 10-Gbit/s-Empfängern.

Merkmale

1. Φ50μm aktive Fläche.
2. Geringe Kapazität.
3. Hohe Verantwortung.
4. Niedriger Dunkelstrom.
5. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
6. Datenrate bis zu 10 Gbit/s.
7. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.

Anwendungen

1. Optische Langstreckennetze.
2. 10G Ethernet.
3. Glasfaser-Datenkommunikation.
4. WDM, ATM.