10 Gbit/s Φ50 μm Top-illuminierter APD-Chip

Dieser 10G Avalanche-Photodiodenchip (APD-Chip) ist eine Art Struktur mit P-Elektrode oben und N-Elektrode unten, wobei die Größe der von oben beleuchteten aktiven Fläche Φ50μm beträgt. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, niedrige Kapazität, hohe Bandbreite, niedrigen Temperaturkoeffizienten und hervorragende Zuverlässigkeit aus und wird in optischen 10G-SONET/SDH- und 10G-PON-Empfängern eingesetzt.

Merkmale

1. Φ50μm aktive Fläche.
2. Hohe Vermehrung.
3. Niedriger Temperaturkoeffizient.
4. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.
5. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
6. RoHS2.0-konform (2011/65/EU).

Anwendungen

1. 10G SONET/SDH
2. 10G PON