10 Gbit/s Φ40 μm Top-illuminierter APD-Chip

Der optische 10-Gbit/s-APD-Detektorchip weist eine GSG-Elektrodenstruktur auf und ist für die Vorderseite des Hochgeschwindigkeits-Lawinenlichtdetektorchips vorgesehen. Die Größe der lichtempfindlichen Fläche beträgt 40 µm. Die Hauptmerkmale des Produkts sind ein hoher Multiplikator, eine niedrige Kapazität, eine hohe Bandbreite, ein niedriger Temperaturkoeffizient und eine hohe Zuverlässigkeit. Es wird hauptsächlich in optischen 10G-SONET/SDH- und 10G-PON-Empfängern verwendet.

Merkmale

1. Φ40μm aktive Fläche.
2. Hohe Vermehrung.
3. Niedriger Temperaturkoeffizient.
4. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.
5. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
6. RoHS2.0-konform (2011/65/EU).

Anwendungen

1. 10G EPON
2. XGS Combo PON