120 μm x 60 μm randbeleuchteter Monitor-PD-Chip

Der XSJ-10-EMPD-120L ist ein seitlich beleuchteter InGaAs InP PIN-Überwachungs-Fotodetektorchip mit planarer Struktur. Anode und Kathode befinden sich auf der Vorderseite, und das chipseitige Erkennungsfenster ist 120 µm x 60 µm groß und eignet sich für Rechenzentren und Telekommunikations-Kantenemitterlaser. Er weist eine hohe Reaktionsfähigkeit im Wellenlängenbereich von 980 nm bis 1620 nm auf und eignet sich für nicht luftdichte Verpackungen.

Merkmale

1. PN-Bondpad oben
2. Am Rand erkennbarer Bereich: 120 μm x 60 μm.
3. Hohe Reaktionsfähigkeit und geringer Dunkelstrom.
4. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.
5. Erfüllen Sie nicht hermetische Pakete.
6. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
7. RoHS2.0-konform (2011/65/EU).

Anwendungen

1. Überwachung der Laserleistung auf der Rückseite.
2. Digitale optische FTTH-Kommunikation.
3. Optische Verbindung.