120 μm x 60 μm randbeleuchteter Monitor-PD-Chip

Der XSJ-10-EMPD-120 ist ein seitlich beleuchteter InGaAs InP PIN-Überwachungs-Fotodetektorchip mit planarer Struktur. Die Anode befindet sich auf der Vorderseite und die Kathode auf der Rückseite. Das chipseitige Erkennungsfenster ist 120 µm x 60 µm groß und eignet sich für Rechenzentren und Kantenemissionslaser in der Telekommunikation. Er weist eine hohe Reaktionsfähigkeit im Wellenlängenbereich von 980 nm bis 1620 nm auf und eignet sich für nicht luftdichte Verpackungen.

Merkmale

1. P-Bondpad oben, N-Bondpad unten.
2. Am Rand erkennbarer Bereich: 120 μm x 60 μm.
3. Hohe Reaktionsfähigkeit und geringer Dunkelstrom.
4. Unterstützt eutektische Lötprozesse.
5. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.
6. Erfüllen Sie nicht hermetische Pakete.
7. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
8. RoHS2.0-konform (2011/65/EU).

Anwendungen

1. Überwachung der Laserleistung auf der Rückseite.
2. Digitale optische FTTH-Kommunikation.
3. Optische Verbindung.