12 Gbit/s Φ60 μm GaAs PIN PD-Chip

Dieser Photodiodenchip mit hoher Datenrate von 12 Gbps ist eine von oben beleuchtete PIN-Struktur aus GaAs. Er zeichnet sich durch hohe Zuverlässigkeit, niedrige Kapazität, niedrigen Dunkelstrom und eine aktive Flächengröße von Φ60 μm aus. Anoden- und Kathoden-Bondpads auf der Oberseite für TO-CAN-Gehäuse-Drahtbond, Anwendung in der Datenübertragung über Glasfaserkanäle.

Merkmale

1. Φ60μm aktive Fläche.
2. Geringe Kapazität und geringer Dunkelstrom.
3. Hohe Verantwortung.
4. Datenrate bis zu 12 Gbit/s.
5. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
6. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.

Anwendungen

1. 10-Gigabit-BASE-SR-Ethernet.
2. 8 Gbit/s Fiber Channel-Datenübertragung.
3. 12 Gbit/s InfiniBand-Datenübertragung.