Dieser InGaAs/InP 1X8 Array-Monitor-PIN-Fotodiodenchip mit großem aktiven Bereich hat eine planare Struktur mit Anode und Kathode oben und Einfallsfläche hinten. Die Größe des von unten beleuchteten aktiven Bereichs beträgt Φ100μm und die Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 900 nm bis 1650 nm ist hoch. Hauptanwendung bei der Überwachung der optischen Leistung.
Merkmale
Anwendungen
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