Der 2,5-Gbit/s-Fotodiodenchip ist eine planare InGaAs/InP-PIN-Struktur und ein von oben beleuchteter digitaler/analoger PD-Chip. Die aktive Flächengröße beträgt Φ70μm. Zu den Merkmalen gehören niedriger Dunkelstrom, niedrige Kapazität, hohe Empfindlichkeit, geringere Intermodulationsverzerrung zweiter Ordnung (IMD2) und zusammengesetzte Dreifach-Beat-Verzerrung (CTB) sowie hervorragende Zuverlässigkeit. Anwendung in analogen Empfängern mit 2,5 Gbit/s und darunter und EPON ONU.
Merkmale
Anwendungen
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