Dieser 2,5-Gbit/s-Fotodiodenchip ist ein planarer InGaAs/InP-PIN-Struktur- und ein von oben beleuchteter hochempfindlicher digitaler/analoger PD-Chip mit einer aktiven Fläche von Φ70μm. Seine Merkmale sind niedriger Dunkelstrom, niedrige Kapazität, hohe Empfindlichkeit, wodurch eine geringere Intermodulationsverzerrung zweiter Ordnung (IMD2) und eine zusammengesetzte Dreifach-Beat-Verzerrung (CTB) sowie eine hervorragende Zuverlässigkeit erreicht werden. Anwendung in optischen Empfängern mit 2,5 Gbit/s und darunter, EPON ONU und analogen CATV-Lichtempfängern.
Merkmale
Anwendungen
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