25 Gbit/s Φ16 μm Top-illuminierter APD-Chip

25 Gbit/s Φ16 μm Top-illuminierter APD-Chip

Dieser 25-Gbit/s-APD-Lichtdetektorchip ist eine GSG-Elektrodenstruktur, ein Hochgeschwindigkeits-Lawinenlichtdetektorchip mit positivem Lichteintritt, und die Größe der lichtempfindlichen Zone beträgt Φ16μm. Die Hauptmerkmale des Produkts sind hohe Multiplikation, niedrige Kapazität, niedriger Temperaturkoeffizient und hohe Zuverlässigkeit, hauptsächlich für 25G PON, 5G Wireless und 100GBASE-ER4.

Merkmale

  1. Φ16μm aktive Fläche.
  2. Hohe Vermehrung.
  3. Geringe Kapazität.
  4. Niedriger Temperaturkoeffizient.
  5. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.
  6. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
  7. RoHS2.0-konform (2011/65/EU).

Anwendungen

  1. 25GSPON
  2. 50G PON
  3. 100G ER4
  4. 5G-Kabellos.