25 Gbit/s Φ20 μm oben beleuchteter PIN PD-Chip

Dieser 10-Gbit/s-Fotodiodenchip mit hoher Datenrate hat eine InGaAs/InP-PIN-Struktur und ist von oben beleuchtet. Er zeichnet sich durch hohe Zuverlässigkeit, niedrige Kapazität, niedrigen Dunkelstrom und eine aktive Flächengröße von Φ50μm aus. Anoden- und Kathoden-Bondpads oben für TO-CAN-Gehäusedrahtbonding. Anwendung in 10-Gbit/s-Empfängern.

Merkmale

1. Φ20μm aktive Fläche.
2. Ground-Signal-Ground (GSG)-Bondpad-Struktur auf der Oberseite.
3. Niedriger Dunkelstrom, niedrige Kapazität, hohe Zuverlässigkeit.
4. Datenrate bis zu 25 Gbit/s.
5. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
6. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.
7. RoHS2.0-konform (2011/65/EU).

Anwendungen

1. 100 Gigabit Ethernet
2. 20-GHz-Analogverbindungen.
3. Hochgeschwindigkeitstest und -messung.