25 Gbit/s Φ38 μm GaAs PIN PD-Chip

Dieser Photodiodenchip mit hoher Datenrate von 25 Gbps ist eine von oben beleuchtete PIN-Struktur aus GaAs. Er zeichnet sich durch hohe Zuverlässigkeit, niedrige Kapazität, niedrigen Dunkelstrom, aktive Flächengröße von Φ38 μm, Anoden- und Kathoden-Bondpad oben für TO-CAN-Gehäusedrahtbond aus, Anwendung in Glasfaserkanal-Datenübertragung, 25 Gigabit Ethernet und Multimode-Kommunikation usw.

Merkmale

1. Φ38μm aktive Fläche.
2. Geringe Kapazität und geringer Dunkelstrom.
3. Hohe Verantwortung.
4. Datenrate bis zu 25 Gbit/s.
5. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
6. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.

Anwendungen

1. 25-Gigabit-Ethernet/Glasfaserkanal.
2. 25 Gbit/s AOC-Empfänger (Active Optical Cable) bei 850 nm.
3. Parallele optische Verbindungen auf VCSEL-Basis mit 25 Gbit/s.
4. 25 Gbit/s SFP+.
5. 4 x 25 Gbit/s QSFP.