Dieser 25-Gbit/s-Avalanche-Photodiodenchip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal-Elektrodenstruktur (GS) mit einer von oben beleuchteten aktiven Fläche von Φ16μm. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, niedrige Kapazität, hohe Bandbreite, niedrigen Temperaturkoeffizienten und hervorragende Zuverlässigkeit aus und wird in 25G EPON, 5G Wireless und 100GBASE-ER4 eingesetzt.
Merkmale
Anwendungen
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