28 Gbit/s Φ35 μm GaAs PIN PD-Chip

Dieser Photodiodenchip mit hoher Datenrate von 25 Gbps ist eine von oben beleuchtete PIN-Struktur aus GaAs. Er zeichnet sich durch hohe Zuverlässigkeit, niedrige Kapazität, niedrigen Dunkelstrom, aktive Flächengröße von Φ35 μm, Signal- und Erdungskontaktflächen auf der Oberseite für TO-CAN-Gehäusedrahtverbindungen aus, Anwendung in optischer Datenkommunikation im Nahbereich mit 20–25 Gbps bei 850 nm.

Merkmale

1. Φ35μm aktive Fläche.
2. Geringe Kapazität.
3. Niedriger Dunkelstrom.
4. Datenrate bis zu 28 Gbit/s.
5. GS-Bondpad oben.
6. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
7. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.

Anwendungen

1. 25-Gigabit-Ethernet/Glasfaserkanal.
2. 25 Gbit/s AOC-Empfänger (Active Optical Cable) bei 850 nm.
3. Parallele optische Verbindungen auf VCSEL-Basis mit 25 Gbit/s.
4. 25 Gbit/s SFP+.