Dieser 2-Gbit/s-Fotodiodenchip ist eine planare InGaAs/InP-PIN-Struktur und ein von oben beleuchteter digitaler Fotodiodenchip mit niedrigem Dunkelstrom. Die aktive Flächengröße beträgt Φ70μm. Zu den Merkmalen gehören niedriger Dunkelstrom bei hohen Temperaturen, hohe Empfindlichkeit und hervorragende Zuverlässigkeit. Anwendung in optischen Empfängern mit 2 Gbit/s und darunter und EPON ONU.
Merkmale
Anwendungen
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