3,1 Gbit/s Φ60 μm digitaler PIN PD-Chip

Dieser 3,1-Gbit/s-Fotodiodenchip ist ein InGaAs/InP-PIN-Planarstruktur- und von oben beleuchteter digitaler Fotodiodenchip mit einer aktiven Flächengröße von Φ60μm. Zu seinen Merkmalen zählen niedriger Dunkelstrom, niedrige Kapazität, hohe Empfindlichkeit und hervorragende Zuverlässigkeit. Anwendung in optischen Empfängern und EPON ONU mit 3,1 Gbit/s und darunter.

Merkmale

1. Φ60μm aktive Fläche.
2. Hohe Verantwortung.
3. Niedriger Dunkelstrom.
4. Hohe Bandbreite.
5. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
6. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.

Anwendungen

1. ≤3,1 Gbit/s Digitalempfänger.
2. EPON ONU.