3GHz Φ70μm Hochempfindlicher digitaler/analoger PIN-PD-Chip

Dieser 3-GHz-Fotodiodenchip ist eine planare InGaAs/InP-PIN-Struktur und ein von oben beleuchteter 3-GHz-Hochempfindlichkeits-Digital-/Analog-PD-Chip mit einer aktiven Fläche von Φ70μm. Seine Eigenschaften sind niedriger Dunkelstrom, niedrige Kapazität, hohe Empfindlichkeit, wodurch eine geringere Intermodulationsverzerrung zweiter Ordnung (IMD2) und eine zusammengesetzte Dreifach-Beat-Verzerrung (CTB) sowie eine hervorragende Zuverlässigkeit erreicht werden. Anwendung in optischen Empfängern mit 2,5 Gbit/s und darunter, EPON ONU und analogen CATV-Lichtempfängern.

Merkmale

1. Φ70μm aktive Fläche.
2. Hohe Reaktionsfähigkeit und hohe Linearität.
3. Niedriger Dunkelstrom.
4. Bandbreite: ≥3GHz
5. Untere Intermodulationsverzerrung zweiter Ordnung (IMD2) und zusammengesetzte Dreifachbeatverzerrung (CTB)
6. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
7. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.

Anwendungen

1. FTTH-, CATV- und analoges Übertragungssystem.
2. Single- oder Multimode-Glasfaserempfänger für Gigabit-Ethernet, Fiber Channel und SONET/SDH.
3. Instrumentierung.