4x10 Gbit/s Φ50μm 250μm Die Pitch 1×4 Array PIN PD Chip

Der Hochgeschwindigkeits-Fotodetektorchip mit 4 x 10 Gbit/s ist eine InGaAs/I InP-PIN-Struktur und ein Frontbeleuchtungstyp, der sich durch hohe Reaktionsfähigkeit, geringe Kapazität und geringen Dunkelstrom auszeichnet. Die Größe des lichtempfindlichen Bereichs beträgt 50 µm, und die P- und N-Pads sind oben angeordnet, um die Verpackung von Lötdrähten zu erleichtern. Hauptsächlich gepaart mit 4 x 10 Gbit/s Vierkanal-TIA wird er für optische Langstrecken-, Hochgeschwindigkeits- und Singlemode-4 x 10 Gbit/s-Empfänger und Datenkommunikation verwendet.

Merkmale

1. Φ50μm aktive Fläche.
2. Ground-Signal-Ground (GSG)-Bondpad-Struktur, 4 x 10 Gbit/s-Array.
3. Niedriger Dunkelstrom, niedrige Kapazität, hohe Zuverlässigkeit.
4. Chipabstand: 250μm
5. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.
6. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
7. RoHS2.0-konform (2011/65/EU).

Anwendungen

1. 40 Gbit/s QSFP+ LR4