4X10Gbps Φ70μm 250μm Die Pitch 1X4 Array GaAs PIN PD Chip

Dieser Photodiodenchip mit hoher Datenrate von 4 x 10 Gbps ist eine von oben beleuchtete PIN-Struktur aus GaAs. Er zeichnet sich durch hohe Zuverlässigkeit, niedrige Kapazität, niedrigen Dunkelstrom und eine aktive Flächengröße von Φ70 μm aus. Anoden- und Kathoden-Bondpads auf der Oberseite für TO-CAN-Gehäuse-Drahtbond, Anwendung in Glasfaserkanal-Datenübertragung, 10-Gigabit-Ethernet und Multimode-Kommunikation usw.

Merkmale

1. Φ70μm aktive Fläche.
2. Geringe Kapazität und geringer Dunkelstrom.
3. Hohe Verantwortung.
4. Datenrate bis zu 10 Gbit/s.
5. Chipabstand: 250μm
6. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
7. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.

Anwendungen

1. 10 Gbit/s AOC-Empfänger (Active Optical Cable) bei 850 nm.
2. Infiniband.
3. SONET/SDH