Dieser Photodiodenchip mit hoher Datenrate von 4 x 14 Gbps ist eine von oben beleuchtete PIN-Struktur aus GaAs. Er zeichnet sich durch hohe Zuverlässigkeit, niedrige Kapazität, niedrigen Dunkelstrom, aktive Flächengröße von Φ70 μm, Anoden- und Kathoden-Bondpad oben für TO-CAN-Gehäuse-Drahtbond aus, Anwendung in Glasfaserkanal-Datenübertragung, 10-Gigabit-Ethernet und Multimode-Kommunikation usw.
Merkmale
Anwendungen
© 2024 SHENZHEN GREEN DIGITAL POWER TECH CO., LTD