4X25Gbps Φ38μm 250μm Die Pitch 1X4 Array GaAs PIN PD Chip

Dieser Photodiodenchip mit hoher Datenrate von 4 x 25 Gbps ist eine von oben beleuchtete 1 x 4-Array-PIN-Struktur von GaAs. Er zeichnet sich durch hohe Zuverlässigkeit, niedrige Kapazität und niedrigen Dunkelstrom aus. Die Größe der aktiven Fläche beträgt Φ38 μm. Das Signal und beide Masseanschlussflächen sind auf der Oberseite des Chips angebracht, um eine einfache Drahtverbindung zu ermöglichen. Anwendung in 850 nm 25 Gbps-Datenkommunikation im Nahbereich. Die Abmessungen des Chips erfüllen die Verpackungsanforderungen für 25 Gbps pro Kanalmodul oder Active Optical Cable (AOC)-Empfänger.

Merkmale

1. Φ38μm aktive Fläche.
2. Geringe Kapazität.
3. Niedriger Dunkelstrom.
4. Hohe Verantwortung.
5. Datenrate: bis zu 25 Gbit/s und mehr pro Kanal.
6. Masse-Signal-Masse-Bondpad und Passivierungsdesign außerhalb des Bondpad-Bereichs.
7. Chipabstand: 250μm
8. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
9. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.
10. RoHS2.0-konform (2011/65/EU).

Anwendungen

1. Transceiver für die Datenkommunikation.
2. 25 Gbit/s AOC-Empfänger (Active Optical Cable) bei 850 nm.
3. 25 Gbit/s SFP+.
4. 4 x 25 Gbit/s QSFP.