4x28 Gbit/s Φ35 μm 250 μm Die Pitch 1×4 Array GaAs PIN PD Chip

Dieser PAM-4-Fotodiodenchip mit hoher Datenrate (4 x 28 Gbps NRZ/4 x 56 Gbps) ist eine von oben beleuchtete 1 x 4-Array-PIN-Struktur aus GaAs. Er zeichnet sich durch hohe Zuverlässigkeit, niedrige Kapazität und niedrigen Dunkelstrom aus. Die Größe der aktiven Fläche beträgt Φ35 μm. Das Signal und beide Masseanschlussflächen sind auf der Oberseite des Chips angebracht, um eine einfache Drahtverbindung zu ermöglichen. Anwendung in optischer Datenübertragung im Nahbereich (850 nm, 4 x 28 Gbps/4 x 56 Gbps).

Merkmale

1. Φ35μm aktive Fläche.
2. Niedriger Dunkelstrom.
3. Design des Masse-Signal-Masse-Anschlusspads.
4. Chipabstand: 250μm
5. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.
6. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
7. RoHS2.0-konform (2011/65/EU).

Anwendungen

1. 200G SR4
2. Parallele Multimode-Glasfaserkommunikation