56 GBaud Φ16 μm Von oben beleuchteter PIN PD-Chip

56 GBaud Φ16 μm Von oben beleuchteter PIN PD-Chip

Dieser 56GBaud-Fotodiodenchip ist ein von oben beleuchteter PIN-Fotodiodenchip mit Mesa-Struktur und hoher Datenrate. Die aktive Fläche beträgt Φ16μm. Er zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, niedrige Kapazität, niedrigen Dunkelstrom und hervorragende Zuverlässigkeit aus, hauptsächlich in Kombination mit rauscharmen Transimpedanzverstärkern (TIA). Er wird für die 4X56GBuad PAM 4-Datenzentrumsübertragung und 100 Gigabit Ethernet verwendet.

Merkmale

  1. Φ16μm aktive Fläche.
  2. Ground-Signal-Ground (GSG)-Bondpad-Struktur auf der Oberseite.
  3. Niedriger Dunkelstrom.
  4. Geringe Kapazität.
  5. Hohe Verantwortung.
  6. Bandbreite: ≥35 GHz (mit TIA).
  7. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
  8. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.

Anwendungen

  1. 4 x 56 GB UAD PAM-4.
  2. 100 Gigabit Ethernet