Φ10000μm Monitor-PD-Chip

Der von oben beleuchtete InGaAs-Monitor-PIN-Fotodiodenchip mit planer Struktur hat oben eine Anode und hinten eine Kathode. Mit einer aktiven Fläche von Φ10000μm und hoher Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 900 nm bis 1700 nm. Wird zur Überwachung der optischen Leistungsabgabe von der Rückseite verschiedener LDs und anderer Monitore verwendet.

Merkmale

1. Planare Struktur auf n+ InP-Substrat mit Anodenkontakt oben.
2. Φ10000μm aktive Fläche.
3. Hohe Verantwortung.
4. Niedriger Dunkelstrom.
5. Niedrige Betriebsvorspannung.
6. Betriebsbereich: -40 °C bis 85 °C.
7. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
8. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.
9. Kundenspezifische Chipabmessungen sind verfügbar.

Anwendungen

1. Überwachung der Laserleistung auf der Rückseite.