Φ2000μm Koplanarelektroden-Monitor-PD-Chip

Dieser von oben beleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Fotodiodenchip hat eine große aktive Fläche, eine Mesa-Struktur, Anoden- und Kathoden-Bondpads auf der Vorderseite. Die Größe der aktiven Fläche beträgt Φ2000μm und die Empfindlichkeit liegt im Wellenlängenbereich von 910 nm bis 1650 nm. Anwendung zur Überwachung der optischen Leistungsabgabe von der Rückseite verschiedener LDs.

Merkmale

1. Mesa-Struktur auf SI. InP-Substrat.
2. Φ2000μm aktive Fläche.
3. Hohe Verantwortung.
4. Niedriger Dunkelstrom.
5. Niedrige Betriebsvorspannung.
6. Anode und Kathode oben, Drahtverbindung vorne.
7. Betriebsbereich: -40 °C bis 85 °C.
8. Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.
9. 1001111111111 Prüfung und Inspektion.
10. Kundenspezifische Chipabmessungen sind verfügbar.

Anwendungen

1. Überwachung der Laserleistung auf der Rückseite.