Φ500μm metallisierter Monitor-PD-Chip auf der Unterseite

Dieser von oben beleuchtete InGaAs/InP-Monitor-PIN-Fotodiodenchip mit großem aktiven Bereich hat eine planare Struktur mit Anode oben und Kathode hinten. Die Größe des aktiven Bereichs beträgt Φ500μm und die hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 1100 nm bis 1700 nm. Anwendung zur Überwachung der optischen Leistungsabgabe von der Rückseite verschiedener LDs. Eigenschaften

Φ500μm aktive Fläche.

Hohe Verantwortung.

Hohe Linearität.

Niedriger Dunkelstrom.

Niedrige Betriebsvorspannung.

Unterstützt den AnSn-Lötprozess.

Betriebsbereich: -40 °C bis 85 °C.

Hervorragende Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die von Telcordia -GR-468-CORE festgelegten Qualifikationsanforderungen erfüllt.

1001111111111 Prüfung und Inspektion.

Kundenspezifische Chipabmessungen sind verfügbar.

RoHS2.0-konform (2011/65/EU).

Anwendungen

Überwachung der Laserleistung auf der Rückseite.