Chip PD de monitor con iluminación inferior de Φ300 μm

Este chip fotodiodo PIN de monitor InGaAs/InP tiene una gran área activa, una estructura plana con ánodo y cátodo en la parte superior y superficie incidente en la parte posterior. El tamaño del área activa iluminada desde abajo es de Φ300 μm y tiene una alta capacidad de respuesta en la región de longitud de onda de 980 nm a 1620 nm. Se utiliza principalmente para monitorear la potencia óptica.

Características

1. Estructura plana sobre sustrato SI InP.
2. Iluminado desde abajo: área activa de Φ300μm.
3. Alta responsabilidad y baja corriente oscura.
4. Ánodo y cátodo en la parte superior, conexión por cable en el frente.
5. Umbral alto de ESD: >500 V.
6. Rango de operación de -40℃ a 85℃.
7. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% prueba e inspección.
9. Está disponible una dimensión de chip personalizada.

Aplicaciones

1. Monitorización de la potencia óptica