Chip PD de monitor metalizado de fondo de Φ500 μm

Este chip fotodiodo PIN de monitor InGaAs/InP con iluminación superior tiene una gran área activa, una estructura plana con un ánodo en la parte superior y un cátodo en la parte posterior. El tamaño del área activa es de Φ500μm y tiene una alta capacidad de respuesta en la región de longitud de onda de 1100 nm a 1700 nm. Se utiliza para monitorear la salida de potencia óptica de la faceta posterior de varios LD. Características

Área activa de Φ500μm.

Alta responsabilidad.

Alta linealidad.

Corriente oscura baja.

Voltaje de polarización de funcionamiento bajo.

Soporte para el proceso de soldadura AnSn.

Rango de operación de -40℃ a 85℃.

Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.

100% prueba e inspección.

Está disponible una dimensión de chip personalizada.

Compatible con RoHS2.0 (2011/65/UE).

Aplicaciones

Monitoreo de potencia láser en faceta posterior.