Este chip fotodiodo PIN de monitorización InGaAs/InP con iluminación superior tiene un área activa grande, una estructura plana, ánodo en la parte superior y cátodo en la parte posterior. El tamaño del área activa es de Φ5000μm y tiene una alta capacidad de respuesta en la región de longitud de onda de 980 nm a 1620 nm. Se utiliza para monitorizar la salida de potencia óptica de la faceta posterior de varios LD.
Características
- Estructura plana sobre sustrato n+ InP con contacto de ánodo superior.
- Área activa de Φ5000μm.
- Alta responsabilidad y baja corriente oscura.
- Voltaje de polarización de funcionamiento bajo.
- Rango de operación de -40℃ a 85℃.
- Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
- 100% prueba e inspección.
- Está disponible una dimensión de chip personalizada.
Aplicaciones
- Control automático industrial.
- Análisis y experimentación científica.
- Los espacios iluminan el equipo para detectar.
- Medidor de potencia óptica.
- Prueba de espectro de respuesta.