Chip PD de monitor con iluminación de borde de 100 μm X 80 μm

Este chip fotodiodo PIN de monitorización InGaAs/InP con iluminación de borde tiene una gran área activa, una estructura plana con ánodo y cátodo doble en la parte superior. El tamaño del área detectable en el borde es de 100 μm X 80 μm y una mayor capacidad de respuesta en la región de longitud de onda de 980 nm a 1620 nm. Se aplica para monitorear la salida de potencia óptica desde la faceta posterior de varias comunicaciones ópticas digitales LD, FTTH e interconexiones ópticas.

Características

1. Almohadilla de enlace NPN en la parte superior.
2. Área detectable del borde: 100μmX80μm.
3. Alta responsabilidad.
4. Corriente oscura baja.
5. Voltaje de polarización de funcionamiento bajo.
6. Rango de operación de -40℃ a 85℃.
7. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% prueba e inspección.
9. Satisfacer paquetes no herméticos.

Aplicaciones

1. Monitoreo de potencia láser en faceta posterior.
2. Comunicaciones ópticas digitales FTTH.
3. Interconexión óptica.