Chip APD con iluminación superior de 10 Gbps y Φ40 μm

El chip detector óptico APD de 10 Gbps tiene una estructura de electrodo GSG, para el frente en la luz del chip detector de luz de avalancha de alta velocidad, el tamaño del área fotosensible es de 40 um, las principales características del producto son alto multiplicador, baja capacitancia, alto ancho de banda, bajo coeficiente de temperatura y alta confiabilidad, utilizado principalmente en receptor óptico 10G SONET/SDH y 10G PON.

Características

1. Área activa de Φ40μm.
2. Alta multiplicación.
3. Coeficiente de temperatura bajo.
4. 100% prueba e inspección.
5. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. Compatible con RoHS2.0 (2011/65/UE).

Aplicaciones

1. 10G EPON
2. Red PON combinada XGS