Chip de diodo de potencia PIN GaAs de 10 Gbps y Φ70 μm

Este chip de fotodiodo de alta velocidad de datos de 10 Gbps tiene una estructura PIN con iluminación superior de GaAs. Se caracteriza por su alta capacidad de respuesta, baja capacitancia, baja corriente oscura, un tamaño de área activa de Φ70 μm, una almohadilla de unión de ánodo y cátodo en la parte superior para la unión por cable del paquete TO-CAN, aplicación en transmisión de datos de canal de fibra, Ethernet de 10 Gigabit y comunicación multimodo, etc.

Características

1. Área activa de Φ70μm.
2. Baja capacitancia y baja corriente oscura.
3. Alta responsabilidad.
4. Velocidad de datos de hasta 10 Gbps.
5. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% prueba e inspección.

Aplicaciones

1. Ethernet BASE-SR de 10 Gigabit.
2. Comunicación de datos de corto alcance de 10 Gbps a 850 nm.
3. Comunicaciones y telecomunicaciones de datos multimodo.
4. Transmisión de datos de canal de fibra de 8 Gbps.
5. Transceptores, receptores y transpondedores de fibra óptica.