Chip APD con iluminación superior de 10 Gbps y Φ50 μm

Este chip de fotodiodo de avalancha de 10G (chip APD) es un tipo de electrodo P en la parte superior y electrodo N en la parte inferior, con un tamaño de área activa iluminada en la parte superior de Φ50μm. Este producto presenta alta multiplicación, baja capacitancia, alto ancho de banda, bajo coeficiente de temperatura y excelente confiabilidad, aplicación en receptores ópticos 10G SONET/SDH y 10G PON.

Características

1. Área activa de Φ50μm.
2. Alta multiplicación.
3. Coeficiente de temperatura bajo.
4. 100% prueba e inspección.
5. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. Compatible con RoHS2.0 (2011/65/UE).

Aplicaciones

1. SONET/SDH de 10 G
2. PON de 10G