Chip APD con iluminación superior de 10 Gbps y Φ40 μm

Este chip de fotodiodo de avalancha de 10 Gbps (chip APD) es un tipo de estructura de electrodo de tierra-señal-tierra (GSG), con un tamaño de área activa iluminada superior de Φ40 μm. Este producto se caracteriza por su alta multiplicación, baja capacitancia, alto ancho de banda, bajo coeficiente de temperatura y excelente confiabilidad, y se aplica en receptores ópticos 10G SONET/SDH y 10G PON.

Características

1. Área activa de Φ40μm.
2. Alta multiplicación.
3. Alta tasa de datos.
4. Coeficiente de temperatura bajo.
5. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% prueba e inspección.

Aplicaciones

1. SONET/SDH de 10 G
2. PON de 10G