Chip de diodo de potencia PIN GaAs de 12 Gbps y Φ60 μm

Este chip de fotodiodo de alta velocidad de datos de 12 Gbps tiene una estructura PIN con iluminación superior de GaAs. Se caracteriza por su alta capacidad de respuesta, baja capacitancia, baja corriente oscura, un tamaño de área activa de Φ60 μm, una almohadilla de unión de ánodo y cátodo en la parte superior para la unión por cable del paquete TO-CAN, aplicación en la transmisión de datos de canal de fibra.

Características

1. Área activa de Φ60μm.
2. Baja capacitancia y baja corriente oscura.
3. Alta responsabilidad.
4. Velocidad de datos de hasta 12 Gbps.
5. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% prueba e inspección.

Aplicaciones

1. Ethernet BASE-SR de 10 Gigabit.
2. Transmisión de datos de canal de fibra de 8 Gbps.
3. Transmisión de datos InfiniBand de 12 Gbps.