El chip de fotodiodo de 2,5 Gbps tiene una estructura PIN plana InGaAs/InP y un chip PD digital/analógico con iluminación superior; el tamaño del área activa es de Φ70 μm. Sus características son corriente oscura baja, baja capacitancia, alta capacidad de respuesta, menor distorsión de intermodulación de segundo orden (IMD2) y distorsión de triple pulso compuesta (CTB), excelente confiabilidad. Se aplica en receptores analógicos de 2,5 Gbps y menos y ONU EPON.
Características
Aplicaciones
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