Chip APD con iluminación superior de 25 Gbps y Φ16 μm

Chip APD con iluminación superior de 25 Gbps y Φ16 μm

Este chip de fotodiodo de avalancha de 25 Gbps (chip APD) es un tipo de estructura de electrodo de señal de tierra (GS), con un tamaño de área activa iluminada en la parte superior de Φ16 μm. Este producto se caracteriza por su alta multiplicación, baja capacitancia, alto ancho de banda, bajo coeficiente de temperatura y excelente confiabilidad, y se aplica en 25G EPON, 5G Wireless y 100GBASE-ER4.

Características

  1. Área activa de Φ16μm.
  2. Alta multiplicación.
  3. Alta velocidad de datos: 25 Gbps o más.
  4. Baja capacitancia.
  5. Coeficiente de temperatura bajo.
  6. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
  7. 100% prueba e inspección.

Aplicaciones

  1. PON de 25 Gbps
  2. 100GBASE-ER4 (ER4-lite)
  3. Tecnología inalámbrica 5G.