Chip de diodo de potencia PIN GaAs de 25 Gbps y Φ38 μm

Chip de diodo de potencia PIN GaAs de 25 Gbps y Φ38 μm

Este chip de fotodiodo de alta velocidad de datos de 25 Gbps tiene una estructura PIN con iluminación superior de GaAs. Se caracteriza por su alta capacidad de respuesta, baja capacitancia, baja corriente oscura, un tamaño de área activa de Φ38 μm, una almohadilla de unión de ánodo y cátodo en la parte superior para la unión por cable del paquete TO-CAN, aplicación en transmisión de datos de canal de fibra, Ethernet de 25 Gigabit y comunicación multimodo, etc.

Características

  1. Área activa de Φ38μm.
  2. Baja capacitancia y baja corriente oscura.
  3. Alta responsabilidad.
  4. Velocidad de datos de hasta 25 Gbps.
  5. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
  6. 100% prueba e inspección.

Aplicaciones

  1. Canal de fibra/Ethernet de 25 Gigabit.
  2. Receptor AOC (cable óptico activo) de 25 Gbps a 850 nm.
  3. Interconexiones ópticas paralelas basadas en VCSEL de 25 Gbps.
  4. Cable SFP+ de 25 Gbps.
  5. 4 conectores QSFP de 25 Gbps.