Este chip de fotodiodo de alta velocidad de datos de 10 Gbps tiene una estructura PIN de InGaAs/InP y está iluminado en la parte superior. Tiene una alta capacidad de respuesta, baja capacitancia, baja corriente oscura, un tamaño de área activa de Φ50 μm y una almohadilla de unión de ánodo y cátodo en la parte superior para la unión por cable de paquetes TO-CAN. Se aplica en receptores de 10 Gbps.
Características
Aplicaciones
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