Chip de diodo de potencia PIN GaAs de 28 Gbps y Φ35 μm

Este chip de fotodiodo de alta velocidad de datos de 25 Gbps tiene una estructura PIN con iluminación superior de GaAs. Se caracteriza por su alta capacidad de respuesta, baja capacitancia, baja corriente oscura, un tamaño de área activa de Φ35 μm, almohadillas de conexión a tierra y señal en la parte superior para la conexión por cable del paquete TO-CAN, aplicación en comunicación de datos ópticos de corto alcance de 20-25 Gbps a 850 nm.

Características

1. Área activa de Φ35μm.
2. Baja capacitancia.
3. Corriente oscura baja.
4. Velocidad de datos de hasta 28 Gbps.
5. Almohadilla de unión GS en la parte superior.
6. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% prueba e inspección.

Aplicaciones

1. Canal de fibra/Ethernet de 25 Gigabit.
2. Receptor AOC (cable óptico activo) de 25 Gbps a 850 nm.
3. Interconexiones ópticas paralelas basadas en VCSEL de 25 Gbps.
4. Cable SFP+ de 25 Gbps.