Este chip de fotodiodo de 3,1 Gbps tiene una estructura plana PIN InGaAs/InP y un chip de fotodiodo digital con iluminación superior. El tamaño del área activa es de Φ60 μm. Sus características son baja corriente oscura, baja capacitancia, alta capacidad de respuesta y excelente confiabilidad. Aplicación en receptores ópticos de 3,1 Gbps y menores y ONU EPON.
Características
Aplicaciones
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