Chip PD de GaAs con matriz de 1x4, paso de matriz de 250 μm y 4 x 10 Gbps, Φ70 μm

Este chip de fotodiodo de alta velocidad de datos de 4X10 Gbps tiene una estructura PIN con iluminación superior de GaAs. Se caracteriza por su alta capacidad de respuesta, baja capacitancia, baja corriente oscura, un tamaño de área activa de Φ70 μm, una almohadilla de unión de ánodo y cátodo en la parte superior para la unión por cable del paquete TO-CAN, aplicación en transmisión de datos de canal de fibra, Ethernet de 10 Gigabit y comunicación multimodo, etc.

Características

1. Área activa de Φ70μm.
2. Baja capacitancia y baja corriente oscura.
3. Alta responsabilidad.
4. Velocidad de datos de hasta 10 Gbps.
5. Paso de matriz: 250 μm
6. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% prueba e inspección.

Aplicaciones

1. Receptor AOC (cable óptico activo) de 10 Gbps a 850 nm.
2. Banda infinita.
3. SONET/SDH