Chip PD con PIN iluminado en la parte inferior, matriz 1X4, paso de matriz de 500 μm y 4 x 200 Gbps

Este chip de fotodiodo de matriz de 4 x 112 GBaud de 800 Gbps, que es un chip de fotodiodo PIN de alta velocidad de datos con estructura de mesa e iluminación inferior, con lente de Φ80 μm integrada en la parte inferior del chip. Sus características son alta, baja capacitancia, baja corriente oscura y excelente confiabilidad, aplicación de 910 nm a 1650 nm con longitud de onda de fibra monomodo, con velocidad de datos de hasta 200 Gbps en receptor óptico de longitud de onda larga.

Características

1. Lente Φ80pm integrada en la parte inferior.
2. Estructura de almohadilla de unión tierra-señal-tierra (GSG), matriz de 4 x 112 GBaud.
3. Baja corriente oscura, baja capacitancia, alta responsabilidad.
4. Velocidad de transmisión: ≥ 112 GBaud/canal.
5. Paso de matriz: 500μm.
6. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% prueba e inspección.
8. Compatible con RoHS2.0 (2011/65/UE).

Aplicaciones

1. Módulos ópticos 800G
2. Módulos ópticos 1.6T