Chip PD de GaAs con PIN y matriz de 1x4, paso de matriz de 250 μm y 4 x 25 Gbps, Φ38 μm

Este chip de fotodiodo de alta velocidad de datos de 4X25 Gbps tiene una estructura de matriz PIN de 1x4 con iluminación superior de GaAs. Las características son alta responsabilidad, baja capacitancia y baja corriente oscura, el tamaño del área activa es Φ38μm, la señal y ambas almohadillas de conexión a tierra están diseñadas en la parte superior del chip para una fácil conexión por cable, aplicación en comunicación de datos de corto alcance de 850 nm y 25 Gbps, la dimensión del chip cumple con el requisito de empaquetado para módulo de 25 Gbps por canal o receptor de cable óptico activo (AOC).

Características

1. Área activa de Φ38μm.
2. Baja capacitancia.
3. Corriente oscura baja.
4. Alta responsabilidad.
5. Velocidad de datos: hasta 25 Gbps o más por canal.
6. Diseño de pasivación y almohadilla de unión tierra-señal-tierra fuera del área de la almohadilla de unión.
7. Paso de matriz: 250 μm
8. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
9. 100% prueba e inspección.
10. Compatible con RoHS2.0 (2011/65/UE).

Aplicaciones

1. Transceptor de comunicación de datos.
2. Receptor AOC (cable óptico activo) de 25 Gbps a 850 nm.
3. Cable SFP+ de 25 Gbps.
4. 4 conectores QSFP de 25 Gbps.