Chip PD con matriz de PIN de 4 x 25 Gbps, Φ32 μm y paso de matriz de 250 μm, 1 x 4

Este chip de fotodiodo de matriz de 4X25 Gbps de 100 Gbps, que es un chip de fotodiodo PIN digital de alta velocidad de datos con estructura de mesa e iluminación superior, el tamaño del área activa es de Φ32 μm. Sus características son alta, baja capacitancia, baja corriente oscura y excelente confiabilidad, principalmente en combinación con amplificadores de transimpedancia de cuatro canales de 4X25 Gbps de alto rendimiento (TIA), aplicación en aplicaciones de longitud de onda larga, alta velocidad de datos de hasta 4X25 Gbps con receptor de fibra óptica monomodo.

Características

1. Área activa de Φ32μm.
2. Estructura de almohadilla de unión tierra-señal-tierra (GSG), matriz 4X25G.
3. Baja corriente oscura, baja capacitancia, alta responsabilidad.
4. Tipo Ancho de banda: 16GHz.
5. Paso de matriz: 250 μm
6. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% prueba e inspección.

Aplicaciones

1. IEEE 100 Gigabit Ethernet.
2. 100G CWDM4, PSM4, CLR4
3. Enlaces de 100G (4X25 Gbps).
4. Comunicaciones y telecomunicaciones de modo único.
5. Transceptores, receptores y transpondedores de fibra óptica.