Chip PD de GaAs con PIN y matriz de 1x4, paso de matriz de 250 μm y 4 x 25 Gbps, Φ38 μm

Este chip de fotodiodo de alta velocidad de datos de 100 Gbps tiene una estructura PIN con iluminación superior de GaAs. Se caracteriza por su alta capacidad de respuesta, baja capacitancia, baja corriente oscura, un tamaño de área activa de Φ38 μm, una almohadilla de unión de ánodo y cátodo en la parte superior para la unión por cable de paquetes TO-CAN, aplicación en transmisión de datos de canal de fibra, Ethernet de 100 Gigabit y comunicación multimodo, etc. Las dimensiones del producto están diseñadas específicamente para paquetes no herméticos.

Características

1. Área activa de Φ38μm.
2. Baja capacitancia, baja corriente oscura, alta responsabilidad.
3. Diseño de almohadilla de unión GS.
4. Paso de matriz: 250 μm
5. 100% prueba e inspección.
6. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
7. Compatible con RoHS2.0 (2011/65/UE).

Aplicaciones

1. 100 gramos SR4