Chip PD de GaAs con PIN y matriz de 1x4, 4 x 28 Gbps, Φ35 μm, paso de matriz de 250 μm

Este chip de fotodiodo PAM-4 NRZ de 4X28 Gbps/4X56 Gbps de alta velocidad de datos tiene una estructura de matriz PIN de 1x4 con iluminación superior de GaAs. Se caracteriza por su alta capacidad de respuesta, baja capacitancia y baja corriente oscura, el tamaño del área activa es de Φ35 μm, la señal y ambas almohadillas de conexión a tierra están diseñadas en la parte superior del chip para facilitar la conexión por cable, aplicación en comunicación óptica de datos de corto alcance PAM-4 de 850 nm 4X28 Gbps/4X56 Gbps.

Características

1. Área activa de Φ35μm.
2. Corriente oscura baja.
3. Diseño de almohadilla de unión tierra-señal-tierra.
4. Paso de matriz: 250 μm
5. 100% prueba e inspección.
6. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
7. Compatible con RoHS2.0 (2011/65/UE).

Aplicaciones

1. 200 gramos SR4
2. Comunicación óptica por fibra multimodo en paralelo