Chip PD PIN de matriz de 1X4 de paso de matriz de 750 μm y 4 x 56 GBaud de Φ16 μm

Chip PD PIN de matriz de 1X4 de paso de matriz de 750 μm y 4 x 56 GBaud de Φ16 μm

Este chip de fotodiodo de matriz de 4 x 56 GBaud de 400 Gbps, que es un chip de fotodiodo PIN digital de alta velocidad de datos con estructura de mesa e iluminación superior, el tamaño del área activa es de Φ16 μm. Sus características son alta, baja capacitancia, baja corriente oscura y excelente confiabilidad, aplicación de 1200 nm a 1600 nm con longitud de onda de fibra monomodo, con velocidad de datos de hasta 50 Gbps en receptor óptico de longitud de onda larga.

Características

  1. Área activa de Φ16μm.
  2. Estructura de almohadilla de unión Tierra-Señal-Tierra (GSG), matriz de 4X56GBaud.
  3. Baja corriente oscura, baja capacitancia, alta responsabilidad.
  4. Velocidad de datos: ≥ 56 GBaud/canal.
  5. Paso de matriz: 750μm.
  6. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
  7. 100% prueba e inspección.

Aplicaciones

  1. Módulos ópticos 200G.
  2. Módulos ópticos 400G.